Вышедшие номера
Образование междоузельных атомов в поверхностных слоях вольфрама при имплантации гелия
Дудка О.В.1, Ксенофонтов В.А.1, Мазилов А.А.1, Саданов Е.В.1
1Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
Email: ksenofontov@kipt.kharkov.ua
Поступила в редакцию: 7 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

Методом полевой ионной микроскопии исследована атомная структура поверхности и приповерхностных областей совершенного бездислокационного вольфрама, облученного ионами гелия с энергией ниже порога смещения. Обнаружен выход из объема собственных междоузельных атомов, образующихся в результате процессов вытеснения атомов вольфрама из узловых решеточных позиций атомами внедренного гелия. Показано, что большие концентрации гелия и силы зеркального изображения оказывают существенное влияние на развитие этих процессов. В приповерхностном слое облученного металла обнаружены обедненные зоны, состоящие из гелий-вакансионных комплексов.