Фотоотражение структур GaAs с дельта<Mn>-легированным слоем
Комков О.С.1, Докичев Р.В.1, Кудрин А.В.1, Данилов Ю.А.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета
Email: okomkov@yahoo.com
Поступила в редакцию: 6 июня 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.
Методом фотомодуляционной оптической спектроскопии (фотоотражения) определена напряженность встроенного электрического поля в структурах арсенида галлия с дельта-слоем при различном содержании марганца в последнем. Исследованные образцы выращивались с использованием технологии, комбинирующей газофазную эпитаксию из металлорганических соединений и лазерное распыление мишеней Mn и GaAs при пониженной температуре (Tg=400oC). Увеличение содержания Mn в дельта-слое от нуля до 0.35 долей монослоя приводило к росту усредненного по приповерхностной области встроенного электрического поля с 14 до 25 kV/cm. Полученные данные хорошо согласуются с результатами самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона для реального профиля распределения примеси марганца.
- Bernussi A.A., Iikawa F., Motisuke P., Basmaji P., Siu Li M., Hipolito O. // J. Appl. Phys. 1990. V. 67. N 9. P. 4149--4151
- Liu D.G., Chang K.H., Lee C.P., Hsu T.M., Tien Y.C. // J. Appl. Phys. 1992. V. 72. N 4. P. 1468--1472
- Birkedal D., Hansen O., Sorensen C.B., Jarasiunas K., Brorson S.D., Keiding S.R. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 65. N 1. P. 79--81
- Seliuta D., Chechavius B., Kavaliauskas J., Krivaite G., Grigelionis I., Balakauskas S., Valusis G., Sherliker B., Halsall M.P., Lachab M., Khanna S.P., Harrison P., Linfield E.H. // Acta Physica Polonica. A. 2008. V. 113. N 3. P. 909--912
- Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Бугаков И.В., Колмакова Т.П., Червяков А.В. // Неорганические материалы. 2011. Т. 47. В. 5. С. 517--520
- Nazmul A.M., Sugahara S., Tanaka M. // J. Crystal Growth. 2003. V. 251. P. 303--310
- Nazmul A.M., Amemiya T., Shuto Y., Sugahara S., Tanaka M. // Phys. Rev. Lett. 2005. V. 95. P. 017 201
- Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демидов Е.С., Демина П.Б., Дорохин М.В., Дроздов Ю.Н., Подольский В.В., Сапожников М.В. // Оптический журнал. 2008. Т. 75. В. 6. С. 56--61
- Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. В. 14. С. 8--17
- Кудрин А.В., Вихрова О.В., Данилов Ю.А. // Письма в ЖТФ. 2010. Т. 36. В. 11. С. 46--53
- Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Kulakovskii V.D., Vikhrova O.V., Zaitsev S.V., Zvonkov B.N. // J. Phys. D-Appl. Phys. 2008. V. 41. P. 245 110
- Зайцев С.В., Дорохин М.В., Бричкин А.С., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кулаковский В.Д. // Письма в ЖЭТФ. 2009. Т. 90. В. 10. С. 730--735
- Комков О.С., Пихтин А.Н., Жиляев Ю.В. // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2011. В. 1. С. 45--48
- Danilov Yu.A., Drozdov M.N., Drozdov Yu.N., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Kalentieva I.L., Dunaev V.S. // J. Spintronics and Magnetic Nanomaterials. 2012. V. 1. N 1. P. 82--84
- Комков О.С., Пихтин А.Н., Жиляев Ю.В., Федоров Л.М. // Письма в ЖТФ. 2008. Т. 34. В. 1. С. 81--87
- Пихтин А.Н., Комков О.С., Базаров К.В. // ФТП. 2006. Т. 40. В. 5. С. 608--613
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
