Инжекционная электролюминесценция эпитаксиальных GaP p--n--структур на Si подложках
Евстропов В.В.1, Жиляев Ю.В.1, Назаров Н.1, Россин В.В.1, Федоров Л.М.1, Шерняков Ю.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.
- Жиляев Ю.В., Криволапчук В.В., Назаров Н., Никитина И.П., Полетаев Н.К., Сергеев Д.В., Травников В.В., Федоров Л.М. ФТП. 1990. Т. 24. В. 7. C. 1303--1305
- Евстропов В.В., Жиляев Ю.В., Назаров Н., Сергеев Д.В., Федоров Л.М. ФТП. 1993. Т 27. В. 4. C. 668--673
- Евстропов В.В., Жиляев Ю.В., Назаров Н., Сергеев Д.В., Федоров Л.М., Шерняков Ю.М. ФТП. 1993. Т. 27. В. 8
- Евстропов В.В., Жиляев Ю.В., Назаров Н., Сергеев Д.В., Федоров Л.М. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 3. С. 28--32
- Жиляев Ю.В., Кондратьев Б.С., Назаров Н., Тутыгин В.С., Федоров Л.М. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 6. С. 14--20
- Gonda Sh., Matsushima Y., Mukai S., Makita Y., Igarashi O. Japan J. Appl. Phys. 1978. V. 17. N 6. P. 1043--1048
- Pogge H.B., Kemlage B.M., Broadie R.W. J. Crystal growth. 1977. V. 37. P. 13--22
- Huber H., Winstel G.H. Siemens. Forsch. Entwiski. - Ber. 1973. V. 2. N 3. P. 171--174
- Mori H., Ogasawara M., Yamamoto M., Tachikawa M. Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. N 16. P. 1245--1247
- Берг А., Дин П. Светодиоды. М.: Мир. 1979. С. 686
- Верман Б.С., Евстропов В.В., Царенков Б.В. ФТП. 1971. Т. 5. В. 1. С. 134--138
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.