Свойства слоев CaAs, выращенных методом молекулярно--пучковой эпитаксии с сохранением реконструкции поверхности ( 2x4) и ( 3x1)
Гурьянов Г.М.1, Леденцов Н.Н.1, Петров В.Н.1, Самсоненко Ю.В.1, Цырлин Г.Э.1, Филаретов А.Г.1
1Институт аналитического приборостроения РАН Санк-Петербург Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Санкт-Петербург
Поступила в редакцию: 27 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1993 г.
- Weisbuch C., Dingle R., Petroff P.M., Gossard A.C., Wiegmann W. Appl. Phys. Lett. 1981. V. 38. N 11. P. 840--842
- Kudo K., Makita Y., Takavasu I., Nomura T., Kobayachi T., Izumi T., Matsumori T. J. Appl. Phys. 1986. V. 56. N 3. P. 888--891
- Van der Pauw Philips Tech. Rev. 1958/59. N 8. P. 220--228
- Reynolds P.C., Bajaj K.K., Litton C.W., Yu P.W., Singh J., Masselink W.T., Ficher R., Markoc H. Appl. Phys. Lett. 1985. V. 46. N 1. P. 51--53
- Moison J.M., Houzay F., Barthe F., Gerard J.M., Jusserand B., Massies J., Turco-Sundroff F.S. J. Cryst. Growth. 1991. V. 111. P. 141--150
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук