Исследование параметров слоев GaAs, выращенных на подложках Si методом жидкофазной эпитаксии
Абрамов А.В., Дерягин Н.Г., Третьяков Д.Н., Фалеев Н.Н.
Поступила в редакцию: 22 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1993 г.
- Nishi S., Inomata H., Akiyama M., Kaminishi K. J. J. Appl. Phys. 1985. V. 24. N 6. P.L391--L393
- Akiyama M., Kawаrada Y., Ueda T., Nishi S., Kaminishi К. J. Crystl Growth. 1986. V. 77. P. 490--497
- Андреев В.М., Корнякова О.В., Минтаиров А.М., Сулима О.В., Хаммедов А.М., Якимов А.Ю. Teз. докл. I Всес. конференции по физическим основам твердотельной электроники. Л., 1989. Т. В. С. 56--57
- Абрамов А.В., Алферов Ж.И., Долганов А.В., Ильясов Т.Б., Мизеров М.Н., Селиверстов О.В., Третьяков Д.Н. Тез. докл. IV Всес. конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах. Минск, 1986. Т. 1. С. 148--149
- Абрамов А.В., Дерягин Н.Г., Долганов А.В., Зеленова О.В., Коробов В.А., Мизеров М.Н., Селиверстов О.В., Третьяков Д.Н., Фалеев Н.Н. Тез. докл. I Всесоюз. конференции по физическим основам твердотельной электроники, Л., 1989, т. B, с. 56--57
- Абрамов А.В., Алферов Ж.И., Дерягин Н.Г., Долганов А.В., Мизеров М.Н., Селиверстов О.В., Третьяков Д.Н., Чернева Т.Б. Расширенные тез. докл. VII Всес. конференции по росту кристаллов, М., 1988. Т. 2. С. 264--266
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук