Тепловое излучение оптически тонкого монокристалла кремния
Магунов А.Н.1
1Институт микроэлектроники Ярославль
Поступила в редакцию: 1 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.
- Писаревский К.Е. Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1985. В. 2. С. 88--94
- Luckman G., Badcock C.P., Maynard H.L. et al. Proc. SPIE. Advances in Resist Technology and Processing. 1992. V. 1672. P. 573--585
- Durandet A., Joubert O., Pelletier J., Pichot M. J. Appl. Phys. 1990. V. 67. N 8. P. 3862--3866
- Остроухов Н.Н. Микроэлектроника. 1991. Т. 20. В. 1. С. 55--63
- Мосс Т. Оптические свойства полупроводников. М.: ИЛ, 1961. 316 с
- Реньян В.П. Технология полупроводникового кремния. М.: Металлургия, 1969. 336 с
- Свет Д.Я. Объективные методы высокотемпературной пирометрии при непрерывном спектре излучения. М.: Наука, 1968. 236 с
- McMahon H.O. J. Opt. Soc. Amer. 1950. V. 40. N 6. P. 376--380
- Гроссе П. Свободные электроны в твердых телах. М.: Мир, 1982. 270 с
- Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Киев: Наукова думка, 1975. 704 с
- Полупроводники / Под ред. Н.Хеннея. М.: ИЛ, 1962. 870 с
- Магунов А.Н., Мудров Е.В. ТВТ. 1992. Т. 30. В. 2. С. 372--378
- Магунов А.Н. Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. В. 10. С. 44--48
- Магунов А.Н. Лазерная сканирующая калориметрия гетерогенных процессов при взаимодействии плазмы с поверхностью / Юбил. сб. тр. Отд. информатики, выч. техники и автоматизации. М.: РАН, 1993. Т. 3. С. 50--66
- Крайнов В.П., Смирнов Б.М. Излучательные процессы в атомной физике. М.: Высшая школа, 1983. 285 с
- Overtoom F., Boyd I.M. J. Phys. E: Sci. Instrum. 1988. V. 21. P. 550--553
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук