Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных структур на основе переходов вырожденный полупроводник--полупроводник
Бобренко Ю.Н.1, Павелец А.М.1, Павелец С.Ю.1, Ткаченко В.М.1
1Институт физики полупроводников Киев, Украина
Поступила в редакцию: 20 февраля 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.
- Павелец С.Ю., Федорус Г.А., Кононец Я.Ф. ФТП. 1970. Т. 4. В. 2. С. 347--349
- Комащенко В.Н., Павелец С.Ю., Федорус Г.А. Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1980. В. 32. С. 40--42
- Горбик П.П., Комащенко В.Н., Федорус Г.А. ФТП. 1980. Т. 14. В. 7. С. 1276--1280
- Павелец С.Ю., Папидзе И.В. ЖТФ. 1981. Т. 51. В. 11. С. 2388--2390
- Павелец С.Ю., Сванидзе Т.М., Тарасенко В.П. ФТП. 1983. Т. 17. В. 7. С. 1330--1332
- Павелец С.Ю., Сванидзе Т.М., Тарасенко В.П. ФТП. 1990. Т. 24. В. 11. C. 2058--2060
- Кантария Р.В., Павелец С.Ю. ФТП. 1978. Т. 12. В. 6. С. 1214--1217
- Власенко Н.А., Кононец Я.Ф. УФЖ. 1971. Т. 16. N 3. С. 273--241
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук