Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 1994, выпуск 12 » Статья стр. 48
<<<>>>
Светоизлучающие диоды на основе изопериодных GaInAsSb/GaSb и GaInAsSb/AlGaAsSb p-n структур
Юнусов М.С.1, Абдурахманов Ю.Ю.1, Объедков Е.В.1, Паттахов А.А.1
1Институт ядерной физики Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 17 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1994 г.
PDF версия
  1. Андаспаева А.А., Баранов А.Н., Гусейнов А.А. и др. Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. В. 9. С. 845--849
  2. Петросян С.Г., Шик А.Я. ФТП. 1984. Т. 18. В. 9. С. 1700--1702
  3. Именков А.Н., Капранчик О.П., Литвак А.М. и др. Письма в ЖТФ. 1990. Т. 16. В. 24. С. 19--24
  4. Андаспаева А.А.,Баранов А.Н., Гусейнов А.А. и др. ФТП. 1990. Т. 24. В. 10. С. 1708--1714
  5. Стоунхэм А.М. Теория дефектов в твердых телах. Т. I. M., 1978. С. 560

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme