Термическое травление поверхности GaAs(100) в вакууме
Алексеев А.Н.1, Карпов С.Ю.1
1Центр перспективных технологий и разработок Санкт-Петербург
Поступила в редакцию: 28 марта 1994 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1994 г.
- Tanaka H., Mushiage M. J. Cryst. Growth. 1991. V. 111. N 1--4. P. 1043--1046
- Panish M.B. J. Electrochem. Soc. 1970. V. 117. N 9. P. 1202-1203
- Newstead S.M., Kubiak R.A.A., Parker E.H.C. J. Crystal Growth. 1987. V. 81. N 1--4. P. 49--54
- Heckingbottom R., Todd C.J., Davies G.J. J. Electrochem. Soc. 1980. V. 127. N 2. P. 444--450
- Seki H., Koukitu A. J. Cryst. Growth. 1986. V. 78. N 2. P. 342--352
- Копьев П.С., Леденцов Н.Н. ФТП. 1988. Т. 22. В. 10. С. 1729--1742
- Shen J.V., Chatillon C. J. Cryst. Growth. 1990. V. 106. N 4. P. 543--552
- Karpov S.Yu., Kovalchuk Yu., Myachin V.E., Pogorelskii Yu.V. J.Cryst. Growth. 1993. V. 129. N 3. P. 563--570
- Arthur J.R. J. Phys. Chem. Solids. 1967. V. 28. N 11. P. 2257--2267
- Van Hove J.M., Pukite P.R., Whaley G.J., Wowchak A.M., Cohen P.I. J. Vac. Sci. Technol. B. 1985. V. 3. N 4. P. 1116--1117
- Kojima T., Kawai N.J., Nakagawa T., Ohta K., Sakamoto T., Kawashima M. Appl. Phys. Lett. 1985. V. 47. N 3. P. 286--288
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук