Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование параметров слоев GaAs и Al xGa 1- xAs, выращенных методом жидкофазной эпитаксии в условиях сверхвысоких скоростей охлаждения раствора-расплава.
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 25 октября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.
- Абрамов А.В., Дерягин Н.Г., Долганов А.В., Зеленова О.В., Коробов В.А., Мизеров М.Н., Селиверстов О.В., Третьяков Д.Н., Фалеев Н.Н. Тез. докл. I Всесоюз. конф. по физическим основам твердотельной электроники. Л., 1989. Т. B. C. 56--57
- Абрамов А.В., Дерягин Н.Г., Третьяков Д.Н., Фалеев Н.Н. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 23. С. 45--49
- Hsieh J.J. J. Cryst. Growth. 1974. V. 27. P. 49--59
- Черепин В.Т. Ионный микрозондовый анализ. Киев: Наукова думка, 1992. 343 с
- Gao Y. Appl. Phys. 1988. V. 67. N 7. P. 3760--3762
- Magee C.W., Harrington W.L., Botnick E.M. Int. J. Mass Spectrometry and Ion Processes. 1990. V. 103. N 1. P. 45--56
- Елюхин В.А., Карпов С.Ю., Портной Е.Л., Третьяков Д.Н. Письма в ЖТФ. 1978. Т. 4. В. 11. С. 629--633
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
