Изменение концентрации электронов в канале селективно легированных гетероструктур с U--центрами при фотовозбуждении
Борисов В.И.1, Дмитриев С.Г.1, Шагимуратов О.Г.1
1Институт радиотехники и электроники РАН Фрязинская часть
Поступила в редакцию: 10 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 января 1995 г.
- Mooney P.M. J. Appl. Phys. 1990. V. 67. N 3. P. R1--R26
- Chadi D.J., Chang K.J. Phys. Rev. B. 1989. V. 39. N 17. P. 10063--10074
- Бонч--Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1990. 688 с
- Андо Т., Фаулер А., Стерн Ф. Электронные свойства двумерных систем. М.: Мир, 1985. 416 с
- Delagebeandeuf D., Ling N.T. IEEE Trans. El. Dev. 1982. ED--29. P. 955
- Smith S.R., Szmulovich F., Brown G.J. J. Appl. Phys. 1994. V. 75. N 2. P. 1010--1013
- Алферов Ж.И., Иванов С.В., Копьев П.С., Мельцер Б.Я., Полянская Т.А., Савельев И.Г., Устинов В.М., Шмарцев Ю.В. ФТП. 1985. Т. 19. В. 7. С. 1199--1203
- Родерик Э.Х. Контакты металл--полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. 208 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук