Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Узкополосные ИК фотодиоды (1.0--1.2 мкм) на напряженных селективных эпитаксиальных структурах GaAs/InGaAs
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 8 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1995 г.
- InGaAs --- photodiode Components Phys. World. 1993. V. 6. N 6. P. 75
- Lester L.F., Hwang K.C. et al. IEEE Photon. Technol. Lett. 1993. V. 5. N 5. P. 511--514
- Wada O., Nobuhara H. et al. Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. N 1. P. 16--17
- Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. В кн.: Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М.: Металлургия, 1985. С. 21
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
