Возрастание уровня катастрофической оптической деградации InGaAs/AlGaAs (977 нм) лазерных диодов после сульфидирования в растворах на основе изопропилового спирта
Бессолов В.Н.1, Лебедев М.В.1, Царенков Б.В.1, Шерняков Ю.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 апреля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1995 г.
- Tang W.C., Rosen H.J., Vettiger P., Webb D.J. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. N 9. P. 1005--1007
- Sandroff C.J., Nottenburg R.N., Bischogg J.--C., Bhat R. Appl. Phys.Lett. 1987. V. 51. N 1. P. 33--35
- Corbett B., Kelly W.M. Appl. Phys. Lett. 1993. V. 62. N 1. P. 87--89
- Tamanuki T., Koyama F., Iga K. Jpn. J. Appl. Phys. 1991. V. 30. N 3. P. 499--500
- Hobson W.S., Mohideen U., Pearton S.J., Slusher R.E., Ren F. Electron. Lett. 1993. V. 29. N 25. P. 2199--2200
- Hobson W.S., Ren F., Mohideen U., Slusher R.E., Lamont Schnoes M., Pearton S.J. J. Vac. Sci. Technol. A. 1995. V. 13. N 4 (will be published)
- DeChiaro L.F., Sandroff C.J. IEEE Trans. Electron. Devices. 1992. V. 39. N 3. P. 561--565
- Kawanishi H., Ohno H., Morimoto T., Kaneiwa S., Miyauchi N., Hayashi H., Akagi Y., Nakajima Y., Hijikata T. Proc. 21st Conf. on Solid State Dvises and Materials (Tokyo, Japan). 1989. P. 337--340
- Kamiyama S., Mori Y., Takahashi Y., Ohnaka K. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 58. N 23. P. 2595--2597
- Howard A.J., Ashby C.I.H., Lott J.A., Schneider R.P., Corless R.F. J. Vac. Sci. Technol. A. 1994. V. 12. N 4. P. 1063--1067
- Hasegawa H., Ishii H., Sawada T., Saitoh T., Konishi S., Liu Y., Ohno H. J. Vac. Sci. Technol. B. 1988. V. 6. N 4. P. 1184--1192
- Бессолов В.Н., Иванков А.Ф., Коненкова Е.В., Лебедев М.В. Письма ЖТФ. 1995. Т. 21. В. 1. С. 46--50
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.