Дефектообразование в структурах Si--SiO 2 в предпробойных электрических полях
Барабан А.П., Булавинов В.В., Мустафа Назар С., Собченко С.А.
Поступила в редакцию: 2 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.
- Броудай И., Мерей Дж. Физические основы микротехнологии. М.: Мир, 1985. 496 с
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев SiO2 на кремнии. Л.: ЛГУ, 1988. 304 с
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Трошихин А.Г. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 18. С. 27--30
- Fischetti M.V., DiMaria D.J., Brorson S.D. et al. Phys. Rev. B. 1985. V. 31. N 12. P. 8424--8442
- Arnold D., Cartier E., DiMaria D.J. Phys. Rev. B. 1994-I. V. 49. N 15. P. 10278--10297
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. В. 9. С. 806--809
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Рыбаков М.О. Изв. вузов. Физика. 1991. N 1. С. 36--40
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук