Формирование фосфида индия на кремнии для интегральных светодиодов
Бабарыкина В.П.1, Рудаков В.И.1
1Институт микроэлектроники РАН Ярославль
Поступила в редакцию: 23 августа 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1995 г.
- Uhrberg R.I.G., Bringans R.D., Bachrach R.Z., Northrup J.E. J. Vac. Sci. Technol. 1986. V. A4. N 3. Pt. 2. P. 1256
- Ohno T.R., Williams E.D. J. Vac. Sci. Technol. 1990. V. B8. N 4. P. 874--882
- Grundmann M., Krots A., Bimberg D. J. Vac. Sci. Technol. 1991. V. B9. N 4. P. 2158--2166
- Lubnow A., Tang G.P., Wehmann H.-H., Schlachetzki A. J. Electronic Materials. 1992. V. 21. N 12. P. 1141--1146
- Takahagi T., Nagai I., Kuroda H. J. Appl. Phys. 1988. V. 64. N 7. P. 3516--3521
- Pearton S.G., Al-Jassim M.M., Short K.T. J. Appl. Phys. 1989. V. 65. N 3. P. 1083--1088
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук