Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Низкопороговые лазерные двойные гетероструктуры GaSb/GaInAsSb/ AlGaInAsSb, полученные методом жидкофазной эпитаксии из сурьмянистых растворов-расплавов
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 6 октября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.
- Ganeau C., Zyskind J.L., Sulhoff J.W., Glover T.E., Centani J., Burrus C.A., Dentai A.G., Pollak M.A. Appl. Phys. Lett. 1987. V. 51. P. 764--766
- Choi H.K., Eglash S.J. Appl. Phys. Lett. 1991. V. 59. P. 1165--1166
- Grunberg P., Baranov A., Fouilant C., Lazzari J.L., Grech P., Boissier G., Alibert C., Joullie A. Electr. Lett. 1994. V. 30. N 4. P. 312--314
- Васильев В.И., Кузнецов В.В., Мишурный В.А. Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1990. Т. 26. N 1. С. 23--27
- Vasil'ev V.I., Kuznetzov V.V., Mishurny V.A., Sazonov V.V.,\commes Faleev N.N. 1 Int. Conf. on Epit. Growth. Budapest. 1990. P. 659--663
- Morosini M., Herrera-Perez J.L., Loural M., Von Zuben A., Da Silveira A. Patel N. IEEE J. Quantum Electron. 1993. V. 29. P. 2103--2108
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
