Исследование заряда диэлектрика и границы раздела кремний --- свинцовосиликатное стекло
Парчинский П.Б., Власов С.И., Насиров А.А., Адилов Т.П.
Поступила в редакцию: 29 сентября 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.
- Коньков В.М., Румак Н.В., Томченко А.А., Хатько В.В. Тез. докл. III Всес. конф. "Физика окисных пленок". Петрозаводск, 1991. Ч. 2. С. 14
- Насиров А.А., Парчинский П.Б., Адилов Т.П. Тез. докл. конф. молодых физиков и математиков "Ташкентскому государственному университету --- 75 лет". Ташкент, 1995. С. 14
- Terman L.M. Solid. St. Electron. 1962. V. 5. P. 285--299
- Lindner R. Bell. Syst. Tech. J. 1962. V. 41. P. 803--831
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1984. Т. 1. 456 с
- Shulz М. Surf. Sci. 1983. V. 132. P. 422--455
- Барабан А.П., Булавников А.П., Коноров П.П. Электроника слоев SiO2 на кремнии. Л.: Изд-во Ленингр. ун-та, 1988. 303 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук