Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Неустойчивости распределения тока по площади в кремниевом оже-транзисторе с туннельным моп-эмиттером
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 10 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.
- Simmons J.C., Taylor G.W. Solid-State Electron. 1986. V. 29. N 3. P. 287--303
- Moravvej-Farshi M.K., Green M.A. IEEE. Electron Device Lett. 1986. V. EDL-7. P. 513--515
- Спиридонов Н.С. Основы теории транзисторов. Киев: Техника, 1975. 360 с
- Lai S.K., Dressendorfer P.V. et al. Appl. Phys. Lett. 1981. V. 38. N 1. P. 41--44
- Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 3. С. 50--55
- Остроумова Е.В., Рогачев А.А., ФТП. 1994. Т. 28. В. 8. С. 1411--1423
- Vexler M.I. IEEE Trans. on Electr. Dev. 1995. V. ED-42. N 4. P. 656--661
- Атабеков Г.И. Теоретические основы электротехники. Ч. 1 (гл. 11). М.--Л.: Энергия, 1966. 320 с
- Гузев А.А., Курышев Г.Л., Синица С.П. ФТП. 1970. Т. 4. В. 11. С. 2043--2047
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
