Приповерхностный водород в кристаллах Lu 2SiO 5--Ce
Шульгин Б.В.1, Нешов Ф.Г.1, Кружалов А.В.1, Белых Т.А.1, Голиков Е.Г.1, Мельчер Ч.Л.1
1Уральский государственный технический университет
Поступила в редакцию: 3 января 1996 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.
- Derenzo S.E., Moses W.W. Proceedings of the "Crystal 2000" international Workshop. 1993. P. 125--135
- Шульгин Б.В., Викторов Л.В., Волков А.Р. и др. Свердловск: изд. Урал. политехн. ин-та. 1990. Деп. ВИНИТИ. 1990. N 3570. 13 с
- Викторов Л.В., Скориков В.М., Жуков В.М., Шульгин Б.В. Неорганические материалы, 1991. Т. 27. N 10. С. 2005--2029
- Melcher C.L., Schweitzer J.S. IEEE Trans. Nucl. Sci. 1992. V. NS--39. P. 502--505
- Александров А.Б., Алукер Э.Д., Васильев И.А. и др. Введение в радиационную физико-химию поверхности щелочно-галоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1989. 245 с
- Сергеев А.Н. Приповерхностный водород в анионодефицитных оксидах (по данным отечественной и зарубежной печати). М., 1990. 50 с. (Обзоры по электронной технике. Сер. 6. Материлы. В. 10 (1575)/ЦНИИ "Электроника")
- Чернов И.П., Шадрин В.Р. Анализ содержания водорода и гелия методом ядер отдачи. М.: Энергоатомиздат, 1988. 128 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук