Влияние ультразвуковой обработки на микропроцессы формирования барьеров Шоттки гетеросистем M- n-n+GaAs ( M=Pt, Cr, W )
Ермолович И.Б.1, Миленин В.В.1, Конакова Р.В.1, Прокопенко И.В.1, Громашевский В.Л.1
1Институт физики полупроводников НАН Украины Киев
Поступила в редакцию: 4 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.
- Wiliams E.W. Phys. Rev. 1968. V. 168. N 3. P. 922--928
- Chiang S.Y., Peasfor Y.L. J. Luminescence. 1975. V. 10. N 5. P. 313--322
- Popov A.S., Jakimova A. Phys. Stat. Sol. (a). 1979. V. 51. N 1. P. K17--K21
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.