О влиянии изовалентного легирования на рекомбинационно-стимулированные атомные процессы в полупроводниках A3B5
Исломов С.А.1, Оксенгендлер Б.Л.1
1Ташкентский государственный университет Институт ядерной физики АН РУз
Поступила в редакцию: 8 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1996 г.
- Lang D., Kimerling L. Phys. Rev. Lett. 1974. V. 33. P. 489
- Kimerling L. Sol. St. Electr. 1978. V. 21. N 11--12. P. 1391--1401
- Юнусов М.С., Оксенгендлер Б.Л., Махмудов А.Ш. Элементарные атомные процессы и электронная структура дефектов в полупроводниках. Ташкент, 1986
- Оксенгендлер Б.Л., Юнусов М.С. ДАН. 1974. N 6. С. 21--24
- Юнусов М.С. и др. Подпороговые радиационные эффекты в полупроводниках. Ташкент, 1989. 224 с
- Баженов Ф.К., Фистуль В.И. ФТП. 1984. Т. 18. С. 1345--1362
- Chirikov B.V. Phys. Rep. 1979. V. 52. P. 463
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук