Влияние электрического поля на неравновесные процессы в полупроводниковом алмазе
Воробьев Ю.В.1, Захарченко В.Н.1, Захарченко Р.В.1, Рао Б.К.1
1Национальный технический университет (КПИ) Киев, Украина Университет Виргиния, Ричмонд, США (Virginia Commonwealth University, Richmond, Virginia, VA-- USA) Институт физики полупроводников НАН Украины Киев, Украина
Поступила в редакцию: 15 апреля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.
Изучена равновесная и неравновесная электропроводность синтетического алмаза в области температур 300-400 K в слабом и сильном электрическом поле, а также его оптические характеристики. Показано, что в неравновесных процессах проявляются локальные центры двух типов: акцепторы с уровнем EV+0.4 эВ и доноры с уровнем приблизительно посередине запрещенной зоны. Как темновая, так и фотопроводимость переносится дырками. Обнаружено уменьшение глубины акцепторных центров в сильном электрическом поле, которое можно связать с полевой ионизацией возбужденных состояний водородоподобного центра.
- Вавилов В.С. УФН. 1994. Т. 164. N 3. С. 287--295
- Чукова Ю.П. Тайны алмаза. М.: Знание, 1988. 64 с
- Алмаз в электронной технике / Сб. статей под ред. В.Б. Кваскова. М.: Энергоатомиздат, 1990. 248 с
- Pappas D., Rao B.K., Zakharchenko R.V., Vorobiev Yu.V. Abstracts of 1995 Fall Meeting MRS. Boston (USA), 1995. P. 690
- Смит Р. Полупроводники. М.: Мир, 1982. 560 с
- Воробьев Ю.В. ФТП. 1971. Т. 5. N 4. С. 596--602
- Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.: Мир, 1966. 192 с
- Clesener J.W. Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N 2. P. 217--220
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук