Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Возможность осуществления контактной литографии периодических структур с характерными размерами, меньшими длины волны актиничного излучения
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 11 июня 1996 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1996 г.
- Moreau W.M. Semiconductor Lithography: Principles, Practices, and Materials. Plenum Press. New York and London, 1988
- McGillis D.A., Fehrs D.L. IEEE Transactions on electron devices. ED-22. N 7. July 1975
- Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: наука, 1973. 720 с
- Калитеевский Н.И. Волновая оптика. М., 1995
- Березин Г.Н., Никитин А.В., Сурис Р.А. Оптические основы контактной фотолитографии. М.: Радио и связь, 1982
- Алферов Ж.И., Гуревич С.А., Казаринов Р.Ф., Мизеров М.Н., Портной Е.Л., Сейсян Р.П., Сурис Р.А. ФТП. 1974. Т. 8. В. 4. С. 832. (Sov. Phys. Semicond. V. 8. N 4. P. 541--542)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
