AlGaAs квантоворазмерные лазерные диоды с градиентным волноводом, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией
Мереуцэ А.З.1, Сырбу А.В.1, Суручану Г.И.1, Яковлев В.П.1
1Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо
Поступила в редакцию: 21 ноября 1990 г.
Выставление онлайн: 20 января 1991 г.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.