Низкопороговые (In=2.0 мА, 300 K) высокоэффективные (etaext=68%) AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом НТ ЖФЭ
Андреев В.М.1, Казанцев А.Б.1, Ларионов В.Р.1, Румянцев В.Д.1, Хвостиков В.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Поступила в редакцию: 29 ноября 1990 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1991 г.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.