Структурные изменения эпитаксиальной пленки ZnSe/GaAs под действием мягкого рентгеновского излучения
Ананьин О.Б.1, Багателия Р.З.1, Быковский Ю.А.1, Знаменский В.Ю.1, Коваленко А.В.1
1Московский инженерно-физический институт
Поступила в редакцию: 11 октября 1991 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1991 г.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.