Зарощенные AlGaAs квантоворазмерные лазерные диоды, полученные комбинированием методов мосгидридной и жидкофазной эпитаксии
Виеру С.Ф., Горбылев В.А., Лупу А.Т., Мереуцэ А.З., Петров А.И., Суручану Г.И., Сырбу А.В., Чельный А.А., Яковлев В.П.
Поступила в редакцию: 9 октября 1991 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1991 г.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.