Электронные характеристики модуляционно-легированных гетеропереходных структур AlGaAs/GaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
Ахмедов Г.А., Веденеев A.С., Горбылев В.А., Ждан А.Г., Залевский И.Д., Xалилов Ш.С., Челный А.А.
Поступила в редакцию: 29 июля 1992 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1992 г.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.