Применение маски As2S3/органический фоторезист для реактивного ионного травления полупроводников A(III)B(V)
Гуревич С.А., Колобов А.В., Любин В.М., Нестеров С.И., Кулагина М.М., Тимофеев Ф.Н., Трошков С.И.
Поступила в редакцию: 10 июня 1992 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1992 г.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
