Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Синтез светодиодной структуры на гранях (1120) и (0001) мезаполосков, выращенных методом селективной эпитаксии
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: Mrozhavskaya@gmail.com
Поступила в редакцию: 26 августа 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.
Исследовано влияние типа несущего газа на характер формирования слоев p-GaN на гранях (0001), (1120) и (1122) мезаполосковой структуры, сформированной с использованием метода селективной эпитаксии. На гранях (0001) и (1120) мезаполосковой структуры прямоугольного сечения сформирована светодиодная структура с активной областью на основе квантовых ям InGaN/GaN. Созданы прототипы светодиодов на свободных полосках GaN, отделенных от подложки.
- Stephan Lutgern, Dimitri Dini, Ines Pietzonka et al. // Proc. SPIE. 2011. V. 7953. P. 79530G-1
- Kwang-Choong Kim, Mathev C., Schmidt, Hitoshi Sato et al. // Phys. Status Solidi. 2007. RRL 1(3). P. 125--127
- Mitsuru Funato, Masaya Ueda, Yoichi Kawakami et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 2006. V. 45 (26). L659--L662
- Nishizuka K., Funato M., Kawakami Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85(15). P. 3122
- Лундин В.В., Николаев А.Е., Сахаров A.В., Цацульников А.Ф. // ФТП. 2008. Т. 42(2). С. 233
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
