Релаксирующие слои карбида кремния на кремниевой подложке, выращенные магнетронным распылением
Рамазанов Ш.М.1, Рамазанов Г.М.1
1ООО "СИКЛАБ", Махачкала Дагестанский государственный университет, Махачкала
Email: ramazanv@mail.ru
Поступила в редакцию: 10 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2013 г.
Магнетронным распылением получены эпитаксиальные слои карбида кремния 3C-политипа на подложках Si(111) структурного совершенства с omegatheta=1.4o. Методами рентгеновской дифракции, комбинационного рассеивания света и атомно-силовой микроскопии исследована кристаллическая структура и морфология поверхностей 3C-SiC/Si(111) гетероструктур в зависимости от толщины пленок. Замечено, что при магнетронном распылении дополнительная энергия ионизированных частиц, привносимая к подложке Si(111), способствует формированию сильных C-C и beta-SiC связей, что затрудняет пересечение границы зерен дислокациями с увеличением времени роста.
- Bartlett R.W., Mueller R.A. // Ibid. P. 341
- Khan I.H., Summergrad R.N. // Appl. Phys. Lett. 1967. V. 11. P. 12
- Katharria Y.S. et al. // J. Non-Crystalline Solids. 2007. V. 353. P. 4660--4665
- Chen J., Steckl A.J., Loboda M.J. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1998. V. 16. N 3. P. 1305--1308
- Орлов Л.К. и др. // ФТТ. 2007. Т. 49. В. 4. С. 596--601
- Joung et al. // Nanoscale Research Letters. 2012. V. 7. P. 22
- Qamar A. et al. // Appl. Surf. Science. 2011. V. 257. P. 6923--6927
- Leia Y.M. et al. // Thin Solid Films. 2000. V. 365. P. 53--57
- Cordier Y. et al. // Physica Status Solidi (C). 2008. V. 5. P. 1983--1985
- Орлов Л.К. и др. // ФТТ. 2009. Т. 51. В. 3. С. 446--451
- Andеrsson O.E., Prasad B.L.V., Sato H. et al. // Phys. Rev. B. 1998. V. 58. P. 16 387
- Cuesta A., Dhamelincourt P., Laureyns J. et al. // Carbon. 1994. V. 32. P. 1523
- Ferrari A.C., Meyer J.C., Scardaci V. et al. // Phys. Rev. Lett. 2006. V. 97. P. 187 401
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук