Исследован так называемый дворик кристаллизации, образующийся в процессах массовой кристаллизации вокруг кристаллов Ge, Si и их твердых растворов (Ge + Si) при охлаждении заэвтектических составов в эктектических системах Ge-Al, Si-Al и (Ge + Si)-Al. Впервые приводятся данные о составе и микротвердости такого дворика и показана его роль как стопора процесса распространения трещин в системе Al-(Ge,Si) при быстром охлаждении после выключения нагревательной системы. Впервые высказано предположение об образовании дворика кристаллизации во всех заэвтектических системах (к таким системам относятся все системы, в которых количество взятого растворителя не соответствует эвтектической точке).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.