Представлены результаты исследования влияния удельного сопротивления кристаллического кремния (1.5-40 kOmega· cm) и толщины аморфной пленки (200-2000 Angstrem) на фотоэлектрические свойства гетероструктур a-Si : H/c-Si, созданных на основе высокоомного кремния p-типа. На исследуемых гетероструктурах наблюдался инверсионный приповерхностный изгиб зон в кристаллическом кремнии. Наличие проводящего канала обеспечило сбор неравновесных носителей при освещении областей, удаленных от электрода на расстояния, существенно превышающие их диффузионную длину. Гетероструктуры обладали высокой фоточувствительностью, в том числе и в УФ-области спектра. Спектральные характеристики таких структур в видимой и ближней ИК-области были аналогичны характеристикам кремниевых туннельных МДП-структур.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.