Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Мезаполосковые лазеры на основе ДГС InAsSbP/InGaAsSb, легированных гадолинием, диапазона 3--3.6 мкм
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 10 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1996 г.
Приведены данные о диодных мезаполосковых лазерах на основе ДГС InbAsSbP/InGaAsSb, впервые из длинноволновых лазеров легированных редкоземельным элементом Gd. Показано, что легирование приводит к улучшению пороговых характеристик. Проведено измерение токовой модуляции лазерного излучения, показывающее возможность использования данных лазеров в спектроскопических измерениях.
- Goodman C.H.L. // Solid-State and Electron Devices. 1978. V. 2. N 5. P. 129--137
- Матвеев Б.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. // Кристаллография. 1988. Т. 33. В. 1. С. 216--221
- Аргунова Т.С., Кютт Р.Н., Матвеев Б.А. и др. // ФТТ. 1994. Т. 36. N 10. C. 3071--3078
- Aydaraliev M., Zotova N.V., Karandashov S.A. et al. // Semicond. Sci. Technol. 1993. V. 8. P. 1575--1580
- Baranov A.N., Voronina T.I., Lagunova T.S. et al. // Semiconductors. V. 27. (3). P. 236--240
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
