Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Свойства электронного канала в одиночных гетероструктурах GaInAsSb/p-InAs
Воронина Т.И.1, Лагунова Т.С.1, Михайлова М.П.1, Моисеев К.Д.1, Обухов С.А.1, Розов А.Е.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 11 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 января 1997 г.
В работе исследованы свойства электронного канала в разъединенной изотипной гетероструктуре II типа GaInAsSb/p-InAs в зависимости от уровня легирования четверного твердого раствора донорной (Te) или акцепторной (Zn) примесью. Обнаружено уменьшение холловской подвижности (более чем на два порядка) с увеличением концентрации акцепторной примеси. Исследованы осцилляции Шубникова-де Гааза при низких температурах (T=1.5-20 K) и определены эффективная масса электронов (mn=0.026m0) и некоторые параметры гетероперехода.
- Баранов А.Н., Джуртанов Б.Е., Именков А.Н., Рогачев А.А., Шерняков Ю.М., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1986. Т. 20. C. 2217
- Сhoi H.K., Turner G.W., Eglash S.L. // Appl. Phys. Left. 1994. V. 64. P. 2474
- Yakovlev Yu.P., Baranov A.N., Imenkov A.N., Mikhailova M.P. // SPIE. 1991. V. 1510. P. 120
- Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Ершов О.Г., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1995. Т. 30. С. 339
- Gong X., Kan H., Yamaguchi T., Suzuki I., Aogama M., Kumagawa M., Rowell N.L., Wang A., Rinfret R. // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V. 33. P. 1740
- Mikhailova M.P., Titkov A.N. // Semicond. Sci.Tech. 1994. V. 9. P. 1279
- Михайлова М.П., Андреев И.А., Воронина T.И., Лагунова Т.С., Моисеев К.Д., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1995. Т. 29. С. 678
- Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1996. Т. 30. С. 523
- Воронина Т.И., Джуртанов Б.Е., Лагунова Т.С., Яковлев Ю.П. // ФТП. 1991. Т. 25. С. 293
- Хилсум К., Роуз--Инс. // Полупроводники типа A3B5. М., 1963
- Von Bardeleben H.J., Jia J.G., Manasren M.G., Stuz С.Е. // Appl. Phys. Lett. 1993. T. 62. C. 90
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
