О степени критичности одноуровневого приближения при обосновании сильно немонотонных зависимостей времен жизни носителей от концентрации рекомбинационной примеси
Холоднов В.А.1, Серебренников П.С.1
1Теоретический отдел Государственного научного центра Российской Федерации государственного предприятия НПО "Орион", Москва
Поступила в редакцию: 4 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.
В работе продолжено рассмотрение эффекта возрастания на несколько порядков времен жизни неравновесных электронов taun и дырок taup при увеличении концентрации рекомбинационных центров. Показано, что при трех зарядовых состояниях рекомбинационной примеси N, также может иметь место сильное возрастание taun и taup при увеличении N, зависимости taun=f(N) и taup=f(N) могут иметь по 2 минимума и максимума.
- Другова А.А., Холоднов В.А. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. N 1. С. 23--27
- Drugova A.A., Kholodnov V.A. // Solid-St. Electron. 1995. V. 38. N 6. P. 1247--1252
- Drugova A.A., Kholodnov V.A. // Proceed. of International Semicond. Device Research Symp. Charlottesville. USA. 1995. V. 1. P. 197--200
- Холоднов В.А. // ФТП. 1996. Т. 30. N 6. С. 1011--1025
- Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977. 562 с
- Блекмор Дж.С. Статистика электронов в полупроводниках. М.: Мир, 1964. 392 с
- Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высш. школа, 1969. 590 с
- Блейкмор Дж.С. Физика твердого тела. М.: Мир, 1988. 608 с
- Смит Р. Полупроводника. М.: Мир, 1982. 600 с
- Stockmann F. // Photoconductivity Conference. N.Y., 1956. P. 269--286
- Kholodnov V.A. // Semicond. Science and Tech. 1997 (to be published)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
