Выращивание дельта-легированных слоев методом молекулярно-лучевой эпитаксии кремния с одновременной бомбардировкой поверхности роста низкоэнергетическими ионами
Шенгуров Ш.Г.1, Шабанов В.Н.1, Шабанов А.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.
В работе показана возможность получения высококачественных структур при использовании приложения к подложке потенциала для получения дельта-слоев n- и p-типа проводимости при низкотемпературном наращивании эпитаксиальных слоев из сублимирующих кремниевых источников, легированных сурьмой или галлием.
- Van Gorkum A.A, Nakagawa K., Shiraki Y. // J. Appl. Phys. 1989. V. 65. P. 2485
- Dohler G.H. // Surf. Sei. 1978. V 73. P. 97
- Зотов А.В., Саранин А.А., Лившиц В.Г., Храмцова Е.А. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. В. 24. С. 1
- Стенин С.И., Кантер Б.З., Никифоров А.И. // Рост кристаллов. 1990. Т. 18, С. 81
- Denhoff M.W., Jackman T.E., McCaffrey J.P. et al. // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 54. P. 1332
- Djebbar N., Gutierrer J., Charki H. et al. // Thin Solid Films. 1990. V. 184. P. 37
- Kubiak R.A.A., Leong W.Y., Parker E.H.I. // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 46. P. 565
- Schaffler F., Jorke H. // Thin Solid Films. 1990. V. 184. P. 75
- Кожухов А.В., Кантер Б.З., Туровский Б.М., С.М. Чесноков // Поверхность. 1989. Т. 3. C. 160
- Павлов П.В., Шабанов В.Н., Шенгуров В.Г., Кожухов А.В. // Поверхность. 1990. Т. 11. С. 153. 1990
- Шенгуров В.Г., Шабанов В.Н. // Поверхность. 1993. Т. 12. С. 98
- Шенгуров В.Г., Шабанов В.Н. // Высокочистые вещества. 1995. Т. 2. С. 52
- Шенгуров В.Г., Шабанов В.Н. // Тез. докл. XII Международной конф. "ВИП-95" (Россия, Звенигород, 1995). С. 164
- Becker G.E., Bean J.C. // J. Appl. Phys. 1977. V. 48. P. 3395
- Ota Y. // J. Electrochem. Soc. 1977. V. 124. P. 1795
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.