Вышедшие номера
Выращивание дельта-легированных слоев методом молекулярно-лучевой эпитаксии кремния с одновременной бомбардировкой поверхности роста низкоэнергетическими ионами
Шенгуров Ш.Г.1, Шабанов В.Н.1, Шабанов А.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 23 сентября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.

В работе показана возможность получения высококачественных структур при использовании приложения к подложке потенциала для получения дельта-слоев n- и p-типа проводимости при низкотемпературном наращивании эпитаксиальных слоев из сублимирующих кремниевых источников, легированных сурьмой или галлием.