Лазерные диоды с рабочей выходной оптической мощностью 3 Вт (lambda=0.81 мкм) на основе AlGaAs/GaAs гетероструктур, работающие в непрерывном режиме со сроком службы 2000 часов
Демидов Д.М.1, Кацавец Н.И.1, Леус Р.В.1, Тер-Мартиросян А.Л.1, Чалый В.П.1
1ЗАО "Полупроводниковые приборы", С.-Петербург
Поступила в редакцию: 5 февраля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1997 г.
На основе квантоворазмерных AlGaAs/GaAs гетероструктур с раздельным ограничением изготовлены лазерные диоды с длиной волны генерации 0.81 мкм, выходной оптической мощностью в непрерывном режиме 4 Вт и временем жизни более 2000 часов при мощности 3 Вт и температуре +20oC.
- Карпов С.Ю. и др. // Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. В. 7. С. 31--34
- Chaly V.P. et al. // Semicond. Sci. Technol. 11 (1996). P. 372--379
- Chaly V.P. et al. // Semicond. Sci. Technol. 9 (1994). P. 345--348
- Гаврилов Г.А. и др. // Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. В. 19. С. 1--6
- Physics of Semiconductor Laser Devices., G. Thompson, John Wiley \& Sons, 1980. P. 28--29
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
