Влияние сульфидирования диодов Шоттки Au--GaAs с профилированной границей раздела на поляритонный пик фотоответа
Дмитрук М.Л.1, Маева О.И.1, Мамыкин С.В.1, Яструбчак О.Б.1
1Институт физики полупроводников АН Украины, Киев
Поступила в редакцию: 23 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.
В работе обсуждается возможность управления фоточувствительностью поверхностно-барьерных структур металл-тонкий собственный окисел-полупроводник в условиях возбуждения поверхностных поляритонов, которые могут использоваться в качестве поляризационно-чувствительных фотоприемников.
- Bruek S.R.J., Diadiuk V., Jones T., Lenth W. // Appl. Phys. Lett. 1985. V. 10. P. 915--917
- Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М., Ярошецкий И.Д. // Письма в ЖТФ. 1985. Т. 11. В. 19. С. 1162--1165
- Дмитрук Н.Л., Литовченко В.Г., Стрижевский В.Л. Поверхностные поляритоны в полупроводниках. Киев: Наук. думка, 1989. 376 с
- Wilde J.N., Petty M.C., Honghton S. et al. // Gth Europ. Conf. on Organised Films. ECOF6. Abstraсts. Sheffild. UK. 1996. 11--14. Sept. P. 31
- Carpenter M.S., Melloch M.K., Lundstrom M.S. // Appl. Phys. Lett. 1988. V. 52. N 25. P. 2157--2159
- Басюк Е.В., Дмитрук Н.Л., Маева О.И. // ФТП. 1993. Т. 27. В. 3. С. 415--420
- Борковская О.Ю., Дмитрук Н.Л., Горбач Т.Я., Мищук О.Н. // ФТП. 1989. Т. 23. N 12. С. 2113--2117
- Родерик Е.Х. Контакты металл--полупроводник. М.: Радио и связь, 1982. С. 210
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук