Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоплеохроизм диодных структур оксид--p--InSe
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина 
Поступила в редакцию: 26 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1997 г.
В качестве основы при изготовлении поляриметрического фотоприемника использован слоистый кристалл InSe. Гетероструктура создана в плоскости, перпендикулярной к плоскости спайности слоев методом термического окисления кристаллической подложки. Коэффициент фотоплеохроизма фотодиода оксид-p-InSe определен для длины волны света 0.6328 нм и равен 90%.
- Рудь Ю.В. // Изв. вузов. Физика. 1986. Т. 29. С. 68
- Manasson V.A., Kovalyuk Z.D., Drapak S.I., Katerinchuk V.N. // Electron. Lett. 1990. V. 26. P. 664
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник / А.В. Новоселова, В.Б. Лазарев, З.С. Медведева и др. М.: Наука, 1979. 340 с
- Катеринчук В.Н., Ковалюк М.З. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. С. 70
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
