Вышедшие номера
Гетероконтакт ZnGeP2 со слоистыми полупроводниками III--VI
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1
1С.-Петербургский государственный технический университет, Физико-технический институт им. А Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Поступила в редакцию: 27 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

В работе сообщаются результаты первых исследований фотоэлектрических свойств гетеропереходов, полученных посадкой на оптический контакт пластин тройного соединения p-ZnGeP2 и слоистых полупроводников InSe и GaSe. Фоточувствительность в таких структурах доминирует при освещении со стороны пластин ZnGeP2 и достигает 150 В/Вт при T=300 K. В гетеропереходах InSe/ZnGeP2 проявляется эффект окна в диапазоне 1.2-2 эВ, тогда как для GaSe/ZnGeP2 фотовольтаический эффект максимален вблизи 2 эВ из-за близости ширин запрещенных зон в контактирующих полупроводниках.