Гетероконтакт ZnGeP2 со слоистыми полупроводниками III--VI
Рудь В.Ю.1, Рудь Ю.В.1
1С.-Петербургский государственный технический университет, Физико-технический институт им. А Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
Поступила в редакцию: 27 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.
В работе сообщаются результаты первых исследований фотоэлектрических свойств гетеропереходов, полученных посадкой на оптический контакт пластин тройного соединения p-ZnGeP2 и слоистых полупроводников InSe и GaSe. Фоточувствительность в таких структурах доминирует при освещении со стороны пластин ZnGeP2 и достигает 150 В/Вт при T=300 K. В гетеропереходах InSe/ZnGeP2 проявляется эффект окна в диапазоне 1.2-2 эВ, тогда как для GaSe/ZnGeP2 фотовольтаический эффект максимален вблизи 2 эВ из-за близости ширин запрещенных зон в контактирующих полупроводниках.
- Рудь Ю.В. // ФТП. 1994. Т. 28. С. 1105
- Barnes N.P. // Int. J. of Nonlinear Optical Phys. 1991. V. 1. P. 639
- Budni P.A., Schunemann P.G., Knights M.G., Pollak T.M., Chicklis E.P. // OSA Proceedings on Advanced Solid State Lasers / Ed. by L. Chase and A.A. Pinto (Optical Society of America, Washington. DC, 1992). 1992. V. 13. P. 380
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ: Справочник. М.: Наука, 1978. 340 с
- Шарма Б.Л., Пурохит Р.Н. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов. радио, 1979
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук