Долговременная релаксация фотоэдс в гетероэпитаксиальной структуре
Шеховцов Л.В.1, Семенова Г.Н.1, Венгер Е.Ф.1, Саченко А.В.1, Садофьев Ю.Г.1
1Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев, Научно-исследовательский технологический институт, Рязань
Поступила в редакцию: 17 декабря 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.
В работе исследовано распределение поперечной фотоэдс в образцах гетероструктуры Ge-GaAs со слоем оксида (~15 Angstrem) на границе раздела. С помощью методики одновременного возбуждения модулированным и не модулированным излучением обнаружена долговременная релаксация фотоэдс в гетеростурктурах. Энергетические барьеры, которые обусловливают этот эффект, локализованы на поверхности пленки Ge и подложки GaAs, прилегающих к окислу, расположенному между ними. Показано, что градиенты темновой концентрации носителей тока в пленке и подложке направлены в противоположные стороны. Переходной слой формируется в процессе роста, а не вследствие классической гетеродиффузии компонент в пленке и подложке. Отмечена необходимость учета вклада в регистрируемый сигнал напряжения фотопроводимости, возникающей на частоте модуляции в поле, которое появляется на образце вследствие немодулированной подсветки.
- Шеховцов Л.В., Саченко А.В. Шварц Ю.М. // ФТП. 1995. Т. 29. В. 3. С. 566--574
- Семенова Г.Н., Крыштаб Т.Г., Шеховцов Л.В., Садофьев Ю.Г. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. В. 5. С. 75--80
- Садофьев Ю.Г. // Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 10. С. 5--9
- Шейнкман М.К., Шик А.Я. // ФТП. 1976. Т. 10. С. 209--233
- Жадько Н.П., Кучерук А.Д., Романов В.А., Сердега Б.К., Шеховцов Л.В. // УФЖ. 1982. Т. 27. N 4. С. 622--624
- Sturge М.Д. // Phys. Rev. 1962. V. 127. N 3. P. 768--773
- Dash W.C., Newman R. // Phys. Rev. 1955. V. 99. N 4. P. 1151--1155
- Aspnes D.E., Studna A.A. // Phys. Rev. B. 1983. V. 27. N 2. P. 985--1009
- Jain F.C. // J. Vac. Sci. Technol. 1983. B1. P. 661--667
- Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М., Физматгиз, 1963. 496 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук