Гистерезис вольт-амперных характеристик светоизлучающих структур на пористом кремнии
Лаптев А.Н.1, Проказников А.В.1, Рудь Н.А.1
1Ярославский государственный университет
Поступила в редакцию: 27 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.
В работе описан новый гистерезисный эффект в структурах Me-ПК-p-Si и предлагается новая модель описания токопрохождения в таких структурах.
- Cancham L.T. // Appl. Phys. Lett. 1990. V. 57. N 10.P. 1046--1048
- Koshida N., Koyama H. // J. Appl. Phys. Lett. 1992. V. 60. N 3. P. 347--349
- Ben-Chorin M., Moller F., Koch F. // J. Appl. Phys. 1995. V. 77. N 2. P. 4482--4488
- Зимин С.П., Кузнецов В.С., Перч Н.В., Проказников А.В. // Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. В. 22. С. 22--26
- Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М., Ярошецкий И.Д. // ФТП. 1993. Т. 27 С. 1815--1819
- Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. М.: Мир, 1975. 432 с
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 1. 456 с
- Maruska Н.P., Namavar F., Kalkhoran N.M. // Appl. Phys. Lett. 1992. V. 61. N 11. P. 1338--1340
- Dimitrov D.B. // Phys. Rev. B. 1995. N 3. P. 1562--1566
- Матвеева А.Б., Константинова Е.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К. // ФТП. 1995. Т. 29. С. 2180--2188
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук