Поликристаллические кремниевые пленки, легированные алюминием в процессе осаждения
Шенгуров Д.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета
Поступила в редакцию: 10 января 1997 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.
Легированные алюминием пленки поликристаллического кремния были выращены методом молекулярно-лучевого осаждения при температуре подложки, лежащей в интервале от 540 до 600oC. Размер зерна увеличивается до 1-8 мкм с увеличением температуры подложки. Были измерены высокие значения холловской подвижности носителей заряда в диапазоне 30-90 см2/В·с.
- Hatalis M.K., Greve D.W. // IEEE Electron Device Lett. 1987. EDL-8. P. 361
- Shi Z., Wenham S.R. // Prog. Photovolt. 1994. V. 2. P. 153
- Rasky P.H.L., Greve D.W., Kryder M.N., Dutta S. // J. Appl. Phys. 1985. V. 57. P. 4077
- Malhi S.D. et al. // IEEE Trans. Electron Devices. 1985. ED-32. P. 258
- Seager H., Grinley D.S. // Appl. Phys. Lett. 1979. V. 34. P. 337
- Mimura A., Konishi N., Ono K. et al. // IEEE Trans. Electron Devices. 1989. ED-36. P. 351
- Yamauchi N., Reif R. // J. Appl. Phys. 1994. V. 75. P. 3235
- Fang P.H., Ephrath I., Nowak W.B. // Appl. Phys. Lett. 1974. V. 25. P. 583
- Chang C.A., Siekhaus W.J., Kaminska T., Hou D.T. // Appl. Phys. Lett. 1975. V. 26. P. 178
- Павлов Д.А., Шенгуров В.Г., Шенгуров Д.В., Хохлов А.Ф. // ФТП. 1995. Т. 29. В. 2. С. 286
- Becker G.E., Bean J.C. // J. Appl. Phys. 1977. V. 48. P. 3395
- Кузнецов В.П., Рубцова Р.А., Исаева Т.М. и др. // Электронная техника. Сер. Материалы. 1983. Т. 11. С. 24
- Sundaresan R., Burk D.E., Fossum J.G., // J. Appl. Phys. 1984. V. 55. P. 1162
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук