Исследованы электрофизические свойства кремниевых металл-диэлектрик-полупроводник-варикапов с диэлектриком из оксида иттербия, полученного методом резистивного вакуумного распыления редкоземельного металла с последующим термическим окислением пленки на воздухе при температуре 500-500^oC. Установлено, что электропроводность образцов описывается законом Пула-Френкеля. Методом высокочастотных вольт-емкостных характеристик определены удельная емкость диэлектрика C₀=0.027-0.03 мкФ/см², крутизна вольт-емкостной характеристики dC/dV=35-40 пФ/В, фиксированный заряд в диэлектрике Q_ф=(1.7-2.7)· 10^-8 Кл/см², плотность поверхностных состояний при потенциале плоских зон N_ss=(1-2)· 10¹¹ см^-2· эВ^-1. Установлено, что коэффициент перекрытия емкости в металл-диэлектрик-полупроводник-варикапах составлял 2.5-3. Показана перспективность использования исследованных структур в качестве металл-диэлектрик-полупроводник-варикапов с малыми управляющими напряжениями и высокой добротностью.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.