Структурная и шумовая характеризация пленок VO2 на SiO2/Si подложках
Байдакова М.В.1, Бобыль А.В.1, Маляров В.Г.1, Третьяков В.В.1, Хребтов И.А.1, Шаганов И.И.1
1С.-Петербургский государственный технический университет
Поступила в редакцию: 17 января 1997 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1997 г.
С целью изучений микроприроды дефектов флуктуаторов - источников низкочастотного фликкер-шума - проведены комплексные структурные и электрофизические исследования пленок VO2 на SiO2/Si подложках. Было установлено, что интенсивность шума определяется величиной флуктуаций микронапряжений (<varepsilon>=< (delta c/c)2> , где c - параметр решетки вдоль c-оси, параллельной [011] ) в блоках, из которых она состоит. Определены размеры блоков вдоль c-оси (tc~ 1000). Сделано предположение, что в образцах имеются два типа дефектов флуктуаторов: 1) атомы V, флуктуирующие между двумя ближайшими междоузлиями, 2) атомы V, флуктуирующие между ними же вблизи дефектов решетки.
- Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудновский Ф.А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. Л.: Наука, 1979. 183 с
- Tsuda N., Nasu K., Yanase A., Siratori K. // Springer Series in Solid-State Sciences. 1991. V. 94. 323 p
- Shaw M.P., Mitin V.V., Scholl E., Grubin H.L. The Physics of instabilities in solid state electron devices. New York and London. Plenum Press. 1992. 467 p
- Spectroscopy of Mott insulators and correlated metals / By A. Fujimori, Y. Tokura // Springer Series in Solid-State Sciences. 1995. V. 119. 265 p
- Андреев В.Н., Захарченя Б.П., Капшин Ю.С., Носкин В.А., Чудновский Ф.А. // ЖЭТФ. 1980. Т. 79. С. 1353--1359
- Вихнин В.С., Гончарук И.Н., Давыдов В.Ю., Чудновский Ф.А., Шадрин Е.Б. // ФТТ. 1995. Т. 37. С. 3580--3596
- Jin P., Tanemura S. // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V. 33. P. 1. N 3A. P. 1478--1483; 1995. V. 34. P. 1. N 5A. P. 2459--2460
- Wentzcovitch R.M., Schulz W.W., Allen P.B. // Phys. Rev. Lett. 1994. V. 72. P. 3389--3392
- Rice T.M., Launois H., Pouget J.P. // Phys. Rev. Lett. 1994. V. 73. P. 3043--3043
- Коган Ш.М., Нагаев К.Е. // ФТТ. 1982. Т. 24. С. 1921--1927
- Galperin Y.M., Karpov V.G., Kozub V.I. // Adv. Phys. 1989. V. 38. P. 669--737
- Bobyl A.V., Gaevskii M.E., Karmanenko S.F., Kutt R.N., Suris R.A., Khrebtov I.A., Tkachenko A.D., Morosov A.I. // J. Appl. Phys. 1997 (в печати)
- Kazakov S.V., Konnikov S.G., Tretykov V.V. // X-ray spectr. 1990. V. 19. P. 269--273
- JCPDS. International Centre for Diffraction Data. Swarthmore, PA, USA
- Warren B.E., Averbach B.L. // J. Appl. Phys. 1950. V. 21. P. 595--601
- Hooge F.N., Kleinpenning T.G.M., Vandamme L.K.L. // Rep. Prog. Phys. 1981. V. 44. P. 479
- Gupta M., Freeman A.J., Ellis D.E. // Phys. Rev. B. 1977. V. 16. P. 3338--3350
- Gervais F., Kress W. // Phys. Rev. B. 1985. V. 31. P. 4809--4814
- Abbate M., De Groot F.M.F., Fuggle J.C., Ma Y.J., Chen C.T., Sette F., Fujimori A., Ueda Y., Kosuge K. // Phys. Rev. B. 1991. V. 43. P. 7263--7266
- Zhang J.X., Yang Z.H., Fung P.C.W. // Phys. Rev. B. 1995. V. 52. P. 278--284
- Одынец Л.Л., Орлов В.М. Анодные оксидные пленки. Л.: Наука, 1990. 200 с
- Ruebenbauer K., Wdowik U.D., Kwater M. // Phys. Rev. B. 1996. V. 54. P. 4006--4020
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук