Диэлектрические свойства планарных структур на основе сегнетоэлектрических пленок Ba0.5Sr0.5TiO3
Гольцман Б.М.1, Леманов В.В.1, Дедык А.И.1, Карманенко С.Ф.1, Тер-Мартиросян Л.Т.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Петербургский государственный электротехнический университет
Поступила в редакцию: 7 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.
Экспериментально исследованы диэлектрические свойства планарных структур Cu-Cr/Ba0.5Sr0.5TiO3 и YBa2Cu3O7-delta/Ba0.5Sr0.5TiO3 в интервале темератур 78-300 K. Показано, что использование электродов из YBCO в структурах на основе пленок Ba0.5Sr0.5TiO3 обеспечивает отсутствие диэлектричеcкого гистерезиса в параэлектрической фазе при сохранении диэлектрической нелинейности и к снижению уровня диэлектрических потерь.
- Гольцман Б.М., Дедык А.И., Леманов В.В., Тер-Мартиросян Л.Т., Карманенко С.Ф. // ФТТ. 1996. Т. 38. С. 2493--2501
- Вендик О.Г., Дедык А.И., Дмитриев Р.В. и др. // ФТТ. 1984. Т. 26. С. 684--689
- Дедык А.И., Карманенко С.Ф., Тер-Мартиросян Л.Т. // Электрическая релаксация в высокоомных материалах. Тез. докл. С.-Петербург, 1994. С. 1373
- Сегнетоэлектрики в технике СВЧ / Под ред. О.Г. Вендика. М., 1979. 272 с
- Куприянов М.Ю., Лихарев К.К. // УФН. 1990. Т. 160. С. 49--56
- Dedyk A.L., Plotkina N.W., Ter-Martirosyan L.T. // Ferroelectrics. 1993. T. 144. С. 77--81
- Дедык А.И., Карманенко С.Ф., Малышев М.Н., Тер-Мартиросян Л.Т. // ФТТ. 1955. Т. 37. С. 3470--3475
- Шкуратов С.И., Месяц В.Т., Иванов С.Н. и др. / СФХТ. 1990. Т. 3. С. 1214--1222
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук