Незатухающие автоколебания в компенсированном полупроводнике в условиях примесного пробоя при наличии магнитного поля
Джандиери К.М.1, Качлишвили З.С.1
1Тбилисский государственный университет
Поступила в редакцию: 17 марта 1997 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1997 г.
Изучены условия возникновения незатухающих колебаний в компенсированном полупроводнике при наличии магнитного поля.
- Kachlishvili Z.S., Jandieri K.M. // Bulletin of the Georgian Academy of Sciences. 1996. V. 154. N 1. P. 61--64
- Kachlishvili Z.S., Jandieri K.M. // Bulletin of the Georgian Academy of Sciences. 1996. V. 154. N 2. P. 208--210
- Качлишвили Э.С., Кезерашвили И.Д. // ФТП. 1990. Т. 24. В. 6. С. 1106--1109
- Заварицкая Е.И. // Труды ФИАН СССР. 1966. Т. 37. С. 41; Koenig S.H., Brown R.D., Shillinger W. // Phys. Rev. 1962. V. 128. P. 1668
- Yutaka Abe // Solid State Electronics. 1988. V. 31. N 3/4. P. 795--798; Brandl A., Geisel T. and Prettl W. // Europhys. Lett. 1987. V. 3(4). P. 401--406; Veispfening M., Hoeser I., Bohm W., Prettl W. and Scholl E. // Phys. Rev. Lett. 1985. V. 55. N 7. P. 754--757
- Kachlishvili // Phys. Stat. Sol. (b). 1971. V. 48. N 65. P. 65--75
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук