Вышедшие номера
Эффекты дальнодействия в ионно-имплантированных структурах кремний--двуокись кремния
Барабан А.П.1, Малявка Л.В.1
1Научно-исследовательский институт физики С.-Петербургского государственного университета
Поступила в редакцию: 4 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.

Целью данной работы являлось изучение свойств электрически активных центров, образующихся в структурах Si-SiO2 в результате ионной имплантации аргона в окисный слой. При этом проводились исследования электрически активных центров, образующихся в структурах вследствие ионной имплантации, и изучение процессов дефектообразования в ионно-имплантированных структурах в результате последующих менее энергетичных внешних (например, полевых) воздействий. Исследования проводились электрофизическими и люминесцентными методами в системе электролит-диэлектрик-полупроводник при комнатной температуре. Установлено, что ионная имплантация аргона в объем окисного слоя приводит к образованию электрически активных центров вне области локализации внедренных ионов аргона, и предложена модель их образования.