Эффекты дальнодействия в ионно-имплантированных структурах кремний--двуокись кремния
Барабан А.П.1, Малявка Л.В.1
1Научно-исследовательский институт физики С.-Петербургского государственного университета
Поступила в редакцию: 4 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
Целью данной работы являлось изучение свойств электрически активных центров, образующихся в структурах Si-SiO2 в результате ионной имплантации аргона в окисный слой. При этом проводились исследования электрически активных центров, образующихся в структурах вследствие ионной имплантации, и изучение процессов дефектообразования в ионно-имплантированных структурах в результате последующих менее энергетичных внешних (например, полевых) воздействий. Исследования проводились электрофизическими и люминесцентными методами в системе электролит-диэлектрик-полупроводник при комнатной температуре. Установлено, что ионная имплантация аргона в объем окисного слоя приводит к образованию электрически активных центров вне области локализации внедренных ионов аргона, и предложена модель их образования.
- Dominquez C., Garrido B., Montserrat J. et al. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Rev. 1993. B80/81. P. 1367--1370
- Garrido B., Samitier J., Morante J.R. et al. // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. N 21. P. 14 845--14 849
- Garrido B., Samitier J., Bota S. et al. // J. Non.-Cryst. Sol. 1995. V. 187. P. 101--105
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. // Электроника слоев SiO2 на кремнии. Л.: Изд. ЛГУ, 1988. 304 с
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Грошихин А.Г. // Письма ЖТФ. 1993. Т. 19. В. 18. С. 27--30
- White C.T., Ngai K.L. // J. Vac. Sci. Tech. 1979. V. 16. N 5. P. 1412--1416
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук