Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Глубокие поверхностные состояния на интерфейсе SiC с собственным термическим окислом
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 9 июня 1997 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1997 г.
На интерфейсе 6H-SiC с собственным термическим окислом обнаружены глубокие поверхностные состояния путем анализа C-V характеристик структур металл-окисел-полупроводник, измеренных при высокой температуре (600 K). Максимум плотности распределенных по энергиям состояний (Dtm=2·1012 cm-2· eV-1) приходится на энергию около 1.2 eV ниже дна зоны проводимости SiC. Выдвигается предположение о том, что выявленные состояния аналогичны по своей природе Pb-центрам, наблюдаемым в системе SiO2/Si.
- Ivanov P.A., Konstantinov A.O, Panteleev V.N., Samsonova T.P., Chelnokov V.E. // Semiconductors. 1994. V. 28. N 7. P. 668--672
- Brown D.M., Ghezzo M., Kretchmer J., Downey E., Pimbley E., Palmour J. // IEEE Trans. Electr. Devices. 1994. V.ED-41. N 4. P. 618--620
- Sridevan S., Mistra V., McLarty P.K., Baliga B.J., Wortmann J.J. // Silicon Carbide and Related Materials 1995 / Ed. by S. Nakashima, H. Matsunami, S. Yishida, and H. Harima. 1996. Inst. of Phys. Conf Ser. N 142; Inst. of Phys. Publishing.Bristol and Philadelphia. P. 645--648
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984. Т. 1. 455 с
- Ivanov P.A., Panteleev V.N., Samsonova T.P., Chelnokov V.E. // Semiconductors. 1995. V. 29. N 2. P. 135--137
- Geardi G.J., Poindexter E.H., Caplan P.J. // Appl Phys. Lett. 1986. V. 49. N 6. P. 348--350
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
